3 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	83.228 Vorrätig	1 : 0,22000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,04415 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	120mOhm bei 2,8A, 4,5V	1,2V bei 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1,5W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2302-TP MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23 MCC (Micro Commercial Components)	84.236 Vorrätig	1 : 0,29000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,08304 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	72mOhm bei 3,6A, 4,5V	1,2V bei 50µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	237 pF @ 10 V	-	1,25W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3414 MOSFET N-CH 20V 3A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	13.102 Vorrätig	1 : 0,32000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,06946 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	50mOhm bei 4,2A, 4,5V	1V bei 250µA	6.2 nC @ 4.5 V	±8V	436 pF @ 10 V	-	1,4W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 Variante
DMG3401LSN-7 MOSFET P-CH 30V 3A SC59 Diodes Incorporated	2.985 Vorrätig	1 : 0,35000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07321 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3 A (Ta)	2,5V, 10V	50mOhm bei 4A, 10V	1,3V bei 250µA	25.1 nC @ 10 V	±12V	1326 pF @ 15 V	-	800mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SC-59-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3421E MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	892.642 Vorrätig	1 : 0,35000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07729 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nicht für Neukonstruktionen	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	95mOhm bei 3A, 10V	2,5V bei 250µA	8 nC @ 10 V	±20V	215 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 Variante
CSD17484F4 MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR Texas Instruments	1.223 Vorrätig	1 : 0,35000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07729 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	FemtoFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3 A (Ta)	1,8V, 8V	121mOhm bei 500mA, 8V	1,1V bei 250µA	2.04 nC @ 8 V	12V	195 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	3-PICOSTAR	3-XFDFN
SI2310-TP MOSFET N-CH 60V 3A SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	13.193 Vorrätig	1 : 0,36000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07832 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	3 A (Ta)	10V	125mOhm bei 3A, 4,5V	2V bei 250µA	6 nC @ 4.5 V	±20V	247 pF @ 30 V	-	350mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML5203TRPBF MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23 Infineon Technologies	20.588 Vorrätig	1 : 0,39000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,08583 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	HEXFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nur verfügbar bis	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	98mOhm bei 3A, 10V	2,5V bei 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	510 pF @ 25 V	-	1,25W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2123L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 Diodes Incorporated	101.427 Vorrätig	1 : 0,48000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,10571 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	72mOhm bei 3,5A, 4,5V	1,25V bei 250µA	7.3 nC @ 4.5 V	±12V	443 pF @ 16 V	-	1,4W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2123LQ-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	24.474 Vorrätig	1 : 0,53000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,11785 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	72mOhm bei 3,5A, 4,5V	1,25V bei 250µA	7.3 nC @ 4.5 V	±12V	443 pF @ 16 V	-	1,4W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN339AN MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3 onsemi	24.643 Vorrätig	1 : 0,63000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,14882 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	PowerTrench®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	35mOhm bei 3A, 4,5V	1,5V bei 250µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	700 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C bis 155°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDC5614P MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6 onsemi	31.756 Vorrätig	1 : 0,78000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,18905 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	PowerTrench®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	105mOhm bei 3A, 10V	3V bei 250µA	24 nC @ 10 V	±20V	759 pF @ 30 V	-	1,6W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SuperSOT™-6	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
ZXMP6A17GTA MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Diodes Incorporated	7.874 Vorrätig	1 : 0,84000 € Gurtabschnitt (CT) 1.000 : 0,22884 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	125mOhm bei 2,2A, 10V	1V bei 250µA	17.7 nC @ 10 V	±20V	637 pF @ 30 V	-	2W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
NDS9407 MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC onsemi	13.477 Vorrätig	1 : 0,96000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,24725 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	PowerTrench®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	150mOhm bei 3A, 10V	3V bei 250µA	22 nC @ 10 V	±20V	732 pF @ 30 V	-	2,5W (Ta)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
NTF3055L108T1G MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 onsemi	50.053 Vorrätig	1 : 1,08000 € Gurtabschnitt (CT) 1.000 : 0,31698 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	3 A (Ta)	5V	120mOhm bei 1,5A, 5V	2V bei 250µA	15 nC @ 5 V	±15V	440 pF @ 25 V	-	1,3W (Ta)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-223 (TO-261)	TO-261-4, TO-261AA
NVF3055L108T1G MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 onsemi	10.000 Vorrätig	1 : 1,25000 € Gurtabschnitt (CT) 1.000 : 0,37521 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	3 A (Ta)	5V	120mOhm bei 1,5A, 5V	2V bei 250µA	15 nC @ 5 V	±15V	440 pF @ 25 V	-	1,3W (Ta)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	SOT-223 (TO-261)	TO-261-4, TO-261AA
EPC2054 TRANS GAN 200V DIE 43MOHM EPC	56.669 Vorrätig	1 : 2,11000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,64152 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	eGaN®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	GaNFET (Galliumnitrid)	200 V	3 A (Ta)	5V	43mOhm bei 1A, 5V	2,5V bei 1mA	4.3 nC @ 5 V	+6V, -4V	573 pF @ 100 V	-	-	-40°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	Einsatz	Einsatz
SI7898DP-T1-E3 MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	12.230 Vorrätig	1 : 2,16000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,62878 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	150 V	3 A (Ta)	6V, 10V	85mOhm bei 3,5A, 10V	4V bei 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	-	-	1,9W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
FDS2734 MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC onsemi	4.855 Vorrätig	1 : 2,37000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,71584 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	UltraFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	250 V	3 A (Ta)	6V, 10V	117mOhm bei 3A, 10V	4V bei 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	2610 pF @ 100 V	-	2,5W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOIC	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
SI7439DP-T1-E3 MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	2.688 Vorrätig	1 : 4,14000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 1,50883 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	150 V	3 A (Ta)	6V, 10V	90mOhm bei 5,2A, 10V	4V bei 250µA	135 nC @ 10 V	±20V	-	-	1,9W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SI7439DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	2.401 Vorrätig	1 : 4,14000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 1,50883 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	TrenchFET®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	150 V	3 A (Ta)	6V, 10V	90mOhm bei 5,2A, 10V	4V bei 250µA	135 nC @ 10 V	±20V	-	-	1,9W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
DMG2301L-13 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	14.322 Vorrätig	1 : 0,22000 € Gurtabschnitt (CT) 10.000 : 0,03627 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	120mOhm bei 2,8A, 4,5V	1,2V bei 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1,5W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3413 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	13.770 Vorrätig	1 : 0,37000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07985 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	97mOhm bei 3A, 4,5V	1V bei 250µA	6.1 nC @ 4.5 V	±8V	540 pF @ 10 V	-	1,4W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 Variante
SSM3K336R,LF MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	9.418 Vorrätig	1 : 0,37000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07746 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	95mOhm bei 2A, 10V	2,5V bei 100µA	1.7 nC @ 4.5 V	±20V	126 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse
SSM3K344R,LF MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	12.028 Vorrätig	1 : 0,38000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,07994 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	3 A (Ta)	1,5V, 4,5V	71mOhm bei 3A, 4,5V	1V bei 1mA	2 nC @ 4 V	±8V	153 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	SOT-23F	SOT-23-3 flache Anschlüsse

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

FETs, MOSFETs

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