N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 307W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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R6530KNX3C16

DigiKey-Teilenr.
846-R6530KNX3C16-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
R6530KNX3C16
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 30A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 307W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
140mOhm bei 14,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 960µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2350 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
307W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
R6530
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