R6024KNZ1C9 Rohm Semiconductor | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6024KNZ1C9
DigiKey-Teilenr.	R6024KNZ1C9-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	R6024KNZ1C9
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 24 A (Tc) 245W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	R6024KNZ1C9 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	24 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	165mOhm bei 11,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2000 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	245W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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