TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-220-3
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6024KNX

DigiKey-Teilenr.
R6024KNX-ND
Hersteller
Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
R6024KNX
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 24 A (Tc) 74W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
R6024KNX Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
24 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
165mOhm bei 11,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2000 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
R6024
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102,00000 €20,00 €
1001,39580 €139,58 €
5001,13772 €568,86 €
1.0001,05480 €1.054,80 €
2.0000,99326 €1.986,52 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:3,65330 €