N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 37W (Tc) Durchkontaktierung TO-220, isolierte Fahne
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IXTP24N65X2M

DigiKey-Teilenr.
IXTP24N65X2M-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP24N65X2M
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 37W (Tc) Durchkontaktierung TO-220, isolierte Fahne
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
36 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2060 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
37W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220, isolierte Fahne
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
145mOhm bei 12A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 291
Bestand des Herstellers: 1.100
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
15,78000 €5,78 €
503,07040 €153,52 €
1002,80870 €280,87 €
5002,35052 €1.175,26 €
1.0002,20348 €2.203,48 €
2.0002,14642 €4.292,84 €
Standardverpackung des Herstellers
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