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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


IXYS
Vorrätig: 282
Stückpreis : 5,10000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


IXYS
Vorrätig: 291
Stückpreis : 4,95000 €
Datenblatt

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IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
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Vorrätig: 2.103
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Vorrätig: 196
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Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 0
Stückpreis : 1,83536 €
Datenblatt
TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-220-3
4th Gen Super Junction MOSFETs R60xxYNx
Presto MOS R600xVNx Series

R6024ENX

DigiKey-Teilenr.
R6024ENX-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
R6024ENX
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 24 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
R6024ENX Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
165mOhm bei 11,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1650 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FM
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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102,72000 €27,20 €
1001,93200 €193,20 €
5001,59592 €797,96 €
1.0001,48800 €1.488,00 €
2.0001,47801 €2.956,02 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:4,89090 €