Name: R6007JND3TL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6007JND3TL1TR-ND
Price: 2.737 EUR
Availability: OutOfStock

R6007JND3TL1 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Vom Hersteller empfohlen

Rohm Semiconductor

Vorrätig: 8.658

Stückpreis : 3,26000 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

R6007JND3TL1
DigiKey-Teilenr.	R6007JND3TL1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) R6007JND3TL1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) R6007JND3TL1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	R6007JND3TL1
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 7 A (Tc) 96W (Tc) Oberflächenmontage TO-252
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	780 mOhm bei 3,5A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	7V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	17.5 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	475 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	96W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	R6007