GNP1070TC-ZE2 Rohm Semiconductor | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GNP1070TC-ZE2
DigiKey-Teilenr.	846-GNP1070TC-ZE2TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 846-GNP1070TC-ZE2CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 846-GNP1070TC-ZE2DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	GNP1070TC-ZE2
Beschreibung	ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 56W (Tc) Oberflächenmontage DFN8080K
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V, 5,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	98mOhm bei 1,9A, 5,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 18mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	5.2 nC @ 6 V
Vgs (Max.)	+6V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	200 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	56W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DFN8080K
Gehäuse / Hülle	8-PowerDFN
Basis-Produktnummer	GNP1070