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SPW20N60CFDFKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SPW20N60CFDFKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SPW20N60CFDFKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 20,7 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SPW20N60CFDFKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 1mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 124 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2400 pF @ 25 V |
Status der Komponente Nur verfügbar bis | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-1 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 220mOhm bei 13,1A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R180P7XKSA1-ND | 3,29000 € | Vom Hersteller empfohlen |
| IXFH22N60P | IXYS | 0 | IXFH22N60P-ND | 4,90793 € | Ähnlich |
| IXFH30N60P | IXYS | 289 | IXFH30N60P-ND | 11,52000 € | Ähnlich |
| IXTH30N60P | IXYS | 301 | IXTH30N60P-ND | 11,47000 € | Ähnlich |
| SIHG22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG22N65E-GE3-ND | 2,47372 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 240 | 2,37292 € | 569,50 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,37292 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,82377 € |






