Name: TP65H070G4LSGB-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H070G4LSGB-TR-ND
Price: 11.0313 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TP65H070G4LSGB-TR
DigiKey-Teilenr.	1707-TP65H070G4LSGB-TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1707-TP65H070G4LSGB-TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1707-TP65H070G4LSGB-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Hersteller-Teilenummer	TP65H070G4LSGB-TR
Beschreibung	GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 29 A (Tc) 96W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (8x8)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Renesas Electronics Corporation
Serie	SuperGaN®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	29 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	85mOhm bei 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,6V bei 700µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	600 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	96W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PQFN (8x8)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN