TP65H050G4BS
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TP65H050G4BS

DigiKey-Teilenr.
1707-TP65H050G4BS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TP65H050G4BS
Beschreibung
650 V 34 A GAN FET
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 34 A (Tc) 119W (Tc) Oberflächenmontage TO-263
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
60mOhm bei 22A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,8V bei 700µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1000 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
119W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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