Dioden 1200 V 10A Durchkontaktierung TO-220-2
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QSD10HCS120U

DigiKey-Teilenr.
5403-QSD10HCS120U-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
QSD10HCS120U
Beschreibung
1200v 10amp SiC Schottky Barrier
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 1200 V 10A Durchkontaktierung TO-220-2
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Geschwindigkeit
Null-Erholungszeit > 500mA (Io)
Herst.
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Verpackung
Stange
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
250 µA @ 1200 V
Status der Komponente
Aktiv
Kapazität bei Vr, F
770pF bei 0V, 1MHz
Technologie
Montagetyp
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1200 V
Gehäuse / Hülle
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
10A
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-2
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.8 V @ 10 A
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C bis 175°C
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 4.935
Nicht stornierbar / keine Rückgabe
MARKTPLATZPRODUKT
Wird in etwa 4 Tagen von Quest Semi versendet
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Maximales kauflimit
Um alle Kunden im Bereich Forschung und Entwicklung unterstützen zu können, gilt für dieses Produkt eine maximale Bestellmenge. Dieses Limit kann alle 30 Tage erworben werden; Bestellungen darüber hinaus können storniert werden.
Stange:5000
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
104,46200 €44,62 €
1003,50160 €350,16 €
5003,39110 €1.695,55 €
1.0003,05114 €3.051,14 €
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