NTP22N06 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

NTP22N06 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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STMicroelectronics

Vorrätig: 3.206

Stückpreis : 1,55000 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTP22N06
DigiKey-Teilenr.	NTP22N06OS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTP22N06
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 22 A (Ta) 60W (Tj) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTP22N06 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	22 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	60mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	700 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	60W (Tj)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	NTP22N