22 A (Ta) Einzelne FETs, MOSFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Technologie	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	Vgs(th) (max.) bei Id	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	Vgs (Max.)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	FET-Merkmal	Verlustleistung (max.)	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäusetyp vom Lieferanten	Gehäuse / Hülle
EPC2010C GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE EPC	2.662 Vorrätig	1 : 6,88000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 2,94738 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	eGaN®	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nur verfügbar bis	N-Kanal	GaNFET (Galliumnitrid)	200 V	22 A (Ta)	5V	25mOhm bei 12A, 5V	2,5V bei 3mA	5.3 nC @ 5 V	+6V, -4V	540 pF @ 100 V	-	-	-40°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	Einsatz	Einsatz
CSD15571Q2 MOSFET N-CH 20V 22A 6SON Texas Instruments	3.000 Vorrätig	1 : 0,54000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,12189 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	NexFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	20 V	22 A (Ta)	4,5V, 10V	15mOhm bei 5A, 10V	1,9V bei 250µA	6.7 nC @ 10 V	±20V	419 pF @ 10 V	-	2,5W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-SON (2x2)	6-WDFN mit freiliegendem Pad
NVMFS5C645NLWFAFT1G MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN onsemi	1.396 Vorrätig	1 : 3,16000 € Gurtabschnitt (CT) 1.500 : 1,05072 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	22 A (Ta)	4,5V, 10V	4mOhm bei 50A, 10V	2V bei 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	2200 pF @ 50 V	-	79W (Tc)	-55°C bis 175°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage, benetzbare Flanke	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)	8-PowerTDFN, 5 Anschlüsse
TK22A65X5,S5X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Toshiba Semiconductor and Storage	743 Vorrätig	1 : 4,22000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	650 V	22 A (Ta)	10V	160mOhm bei 11A, 10V	4,5V bei 1,1mA	50 nC @ 10 V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	45W (Tc)	150°C	-	-	Durchkontaktierung	TO-220SIS	TO-220-3 voller Pack
TPH7R506NH,L1Q MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	26.010 Vorrätig	1 : 1,74000 € Gurtabschnitt (CT) 5.000 : 0,45884 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	U-MOSVIII-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	22 A (Ta)	10V	7,5mOhm bei 11A, 10V	4V bei 300µA	31 nC @ 10 V	±20V	2320 pF @ 30 V	-	1,6W (Ta), 45W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOP Advance-Gehäuse (5x5)	8-PowerVDFN
RD3L220SNTL1 MOSFET N-CH 60V 22A TO252 Rohm Semiconductor	3.993 Vorrätig	1 : 2,00000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,57916 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	22 A (Ta)	4V, 10V	26mOhm bei 22A, 10V	3V bei 1mA	30 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 10 V	-	20W (Tc)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-252	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
RD3L220SNFRATL MOSFET N-CH 60V 22A TO252 Rohm Semiconductor	1.679 Vorrätig	1 : 2,44000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,73900 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	22 A (Ta)	4V, 10V	26mOhm bei 22A, 10V	3V bei 1mA	30 nC @ 10 V	±20V	1500 pF @ 10 V	-	20W (Tc)	150°C (TJ)	Automobiltechnik	AEC-Q101	Oberflächenmontage	TO-252	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
NTB22N06T4 MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK onsemi	0 Vorrätig 4.800 Marktplatz	800 : 0,33881 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 865 : 0,30230 € Lose im Beutel	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Lose im Beutel	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	22 A (Ta)	10V	60mOhm bei 11A, 10V	4V bei 250µA	32 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	60W (Tj)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
AM4436N MOSFET N-CH 30V 22A SO-8 Analog Power Inc.	1.900 Marktplatz	1 : 0,62000 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	22 A (Ta)	4,5V, 10V	4,6mOhm bei 22A, 10V	1V bei 250µA	65 nC @ 4.5 V	±20V	7686 pF @ 15 V	-	3,1W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SO	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
RJK0348DSP-00#J0 MOSFET N-CH 30V 22A 8SOP Renesas Electronics Corporation	2.500 Marktplatz	231 : 1,12281 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	22 A (Ta)	-	3,4mOhm bei 11A, 10V	-	34 nC @ 4.5 V	-	5100 pF @ 10 V	-	2,5W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-SOP	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
FDMS0308CS MOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN Fairchild Semiconductor	14.783 Marktplatz	176 : 1,46830 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	22 A (Ta)	-	3mOhm bei 21A, 10V	3V bei 1mA	66 nC @ 10 V	-	4225 pF @ 15 V	-	2,5W (Ta), 65W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-PQFN (5x6)	8-PowerTDFN
FDB2570 MOSFET N-CH 150V 22A TO263AB Fairchild Semiconductor	4.529 Marktplatz	170 : 1,52012 € Lose im Beutel	PowerTrench®	Lose im Beutel	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	150 V	22 A (Ta)	6V, 10V	80mOhm bei 11A, 10V	4V bei 250µA	56 nC @ 10 V	±20V	1911 pF @ 75 V	-	93W (Tc)	-65°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	TO-263 (D2PAK)	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
AM7438N MOSFET N-CH 30V 22A DFN5X6 Analog Power Inc.	2.800 Marktplatz	1 : 0,70000 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	22 A (Ta)	4,5V, 10V	7,5mOhm bei 15,2A, 10V	1V bei 250µA (Min)	21 nC @ 4.5 V	±20V	1835 pF @ 15 V	-	5W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	DFN5x6	DFN5x6
NTP22N06 MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB onsemi	0 Vorrätig 333 Marktplatz	50 : 0,50520 € Stange 333 : 0,77733 € Stange	-	Stange Stange	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	22 A (Ta)	10V	60mOhm bei 11A, 10V	4V bei 250µA	32 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	60W (Tj)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220	TO-220-3
CSD13202Q2 MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON Texas Instruments	22 Vorrätig	1 : 0,63000 € Gurtabschnitt (CT) 3.000 : 0,13032 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	NexFET™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	22 A (Ta)	2,5V, 4,5V	9,3mOhm bei 5A, 4,5V	1,1V bei 250µA	6.6 nC @ 4.5 V	±8V	997 pF @ 6 V	-	2,7W (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	6-WSON (2x2)	6-WDFN mit freiliegendem Pad
TK22A65X,S5X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Toshiba Semiconductor and Storage	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	1 : 4,01000 € Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	650 V	22 A (Ta)	10V	150mOhm bei 11A, 10V	3,5V bei 1,1mA	50 nC @ 10 V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	45W (Tc)	150°C	-	-	Durchkontaktierung	TO-220SIS	TO-220-3 voller Pack
TK22V65X5,LQ PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN Toshiba Semiconductor and Storage	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	1 : 6,50000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 2,73469 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	DTMOSIV-H	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	650 V	22 A (Ta)	10V	170mOhm bei 11A, 10V	4,5V bei 1,1mA	50 nC @ 10 V	±30V	2400 pF @ 300 V	-	180W (Tc)	150°C	-	-	Oberflächenmontage	4-DFN-EP (8x8)	4-VSFN mit freiliegendem Pad
DMN1003UFDE-13 MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 Diodes Incorporated	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	10.000 : 0,15446 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	22 A (Ta)	2,5V, 4,5V	3mOhm bei 15A, 4,5V	1V bei 250µA	45 nC @ 8 V	±8V	2551 pF @ 6 V	-	800mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	U-DFN2020-6 (Typ E)	6-PowerUDFN
DMN1003UFDE-7 MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 Diodes Incorporated	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	3.000 : 0,17794 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Aktiv	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	12 V	22 A (Ta)	2,5V, 4,5V	3mOhm bei 15A, 4,5V	1V bei 250µA	45 nC @ 8 V	±8V	2551 pF @ 6 V	-	800mW (Ta)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	U-DFN2020-6 (Typ E)	6-PowerUDFN
NTB22N06LT4 MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK onsemi	0 Vorrätig	800 : 0,33881 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	22 A (Ta)	5V	65mOhm bei 11A, 5V	2V bei 250µA	20 nC @ 5 V	±10V	690 pF @ 25 V	-	60W (Tj)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
NTP22N06L MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB onsemi	0 Vorrätig	50 : 0,50520 € Stange	-	Stange	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	22 A (Ta)	5V	65mOhm bei 11A, 5V	2V bei 250µA	20 nC @ 5 V	±10V	690 pF @ 25 V	-	60W (Tj)	-55°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220	TO-220-3
FDMS0308CS MOSFET N-CH 30V 22A 8PQFN onsemi	0 Vorrätig	3.000 : 1,12281 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	30 V	22 A (Ta)	-	3mOhm bei 21A, 10V	3V bei 1mA	66 nC @ 10 V	-	4225 pF @ 15 V	-	2,5W (Ta), 65W (Tc)	-55°C bis 150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	8-PQFN (5x6)	8-PowerTDFN
FDP2570 MOSFET N-CH 150V 22A TO220-3 onsemi	0 Vorrätig	400 : 1,35763 € Stange	PowerTrench®	Stange	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	150 V	22 A (Ta)	6V, 10V	80mOhm bei 11A, 10V	4V bei 250µA	56 nC @ 10 V	±20V	1911 pF @ 75 V	-	93W (Tc)	-65°C bis 175°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-220-3	TO-220-3
RSD220N06TL MOSFET N-CH 60V 22A CPT3 Rohm Semiconductor	0 Vorrätig	1 : 2,06000 € Gurtabschnitt (CT) 2.500 : 0,60079 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Nur verfügbar bis	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	60 V	22 A (Ta)	4V, 10V	-	-	-	±20V	-	-	20W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Oberflächenmontage	CPT3	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
IRFP22N60C3PBF MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3 Vishay Siliconix	0 Vorrätig	Obsolet	-	Stange	Obsolet	N-Kanal	MOSFET (Metalloxid)	650 V	22 A (Ta)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Durchkontaktierung	TO-247AC	TO-247-3

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FETs, MOSFETs

Feldeffekttransistoren (FETs) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) sind Transistortypen, die zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen verwendet werden.

Ein einzelner FET arbeitet, indem er den Stromfluss zwischen Source- und Drain-Anschluss durch ein elektrisches Feld steuert, das durch eine an den Gate-Anschluss angelegte Spannung erzeugt wird. Der Hauptvorteil von FETs ist ihre hohe Eingangsimpedanz, die sie ideal für den Einsatz in Signalverstärkern und analogen Schaltungen macht. Sie werden häufig in Anwendungen wie Verstärkern, Oszillatoren und Pufferstufen in elektronischen Schaltungen eingesetzt.

MOSFETs, eine Unterart der FETs, haben einen Gate-Anschluss, der durch eine dünne Oxidschicht vom Kanal isoliert ist, was ihre Leistung erhöht und sie sehr effizient macht. MOSFETs können in zwei Typen eingeteilt werden:

n-Kanal-MOSFETs, bei denen Elektronen die primären Ladungsträger sind.
p-Kanal-MOSFETs, bei denen Löcher die primären Ladungsträger sind.

MOSFETs werden aufgrund ihres geringen Stromverbrauchs, ihrer hohen Schaltgeschwindigkeit und ihrer Fähigkeit, große Ströme und Spannungen zu verarbeiten, in vielen Anwendungen bevorzugt. Sie sind von entscheidender Bedeutung für digitale und analoge Schaltungen, einschließlich Stromversorgungen, Motortreiber und Hochfrequenzanwendungen.

Der Betrieb von MOSFETs kann in zwei Modi unterteilt werden:

Anreicherungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise ausgeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Er benötigt eine positive Gate-Source-Spannung (für n-Kanal) oder eine negative Gate-Source-Spannung (für p-Kanal), um sich einzuschalten.
Verarmungsmodus: In diesem Modus ist der MOSFET normalerweise eingeschaltet, wenn die Gate-Source-Spannung Null ist. Durch Anlegen einer Gate-Source-Spannung mit entgegengesetzter Polarität kann er ausgeschaltet werden.

MOSFETs bieten mehrere Vorteile, wie zum Beispiel:

Hoher Wirkungsgrad: Sie verbrauchen sehr wenig Strom und können schnell zwischen verschiedenen Zuständen wechseln, was sie für Energiemanagement-Anwendungen sehr effizient macht.
Niedriger Einschalt-Widerstand: Im eingeschalteten Zustand haben sie einen geringen Widerstand, was den Leistungsverlust und die Wärmeentwicklung minimiert.
Hohe Eingangsimpedanz: Die isolierte Gate-Struktur führt zu einer extrem hohen Eingangsimpedanz, wodurch sie sich ideal für hochohmige Signalverstärkung eignen.

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass einzelne FETs, insbesondere MOSFETs, grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind. Sie sind bekannt für ihre Effizienz, Geschwindigkeit und Vielseitigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von der Signalverstärkung mit geringem Stromverbrauch bis hin zum Schalten und Steuern mit hohem Stromverbrauch reichen.

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