N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 162W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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NTP190N65S3HF

DigiKey-Teilenr.
NTP190N65S3HF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NTP190N65S3HF
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 162W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 430µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
34 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1610 pF @ 400 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
162W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm bei 10A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,63000 €4,63 €
502,42620 €121,31 €
1002,21300 €221,30 €
5001,83936 €919,68 €
1.0001,74803 €1.748,03 €
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