FQP10N20C onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

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STMicroelectronics

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Stückpreis : 1,97000 €

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FQP10N20C
DigiKey-Teilenr.	FQP10N20C-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQP10N20C
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 9,5 A (Tc) 72W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FQP10N20C Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 26 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 510 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 72W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,5 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FQP10
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 360mOhm bei 4,75A, 10V

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Ersatzartikel (1)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IRF630	STMicroelectronics	6.856	497-2757-5-ND	1,97000 €	Ähnlich

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