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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
FDP2D3N10C | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FDP2D3N10C-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FDP2D3N10C |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 42 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 222 A (Tc) 214W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FDP2D3N10C Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 700µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 152 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 11180 pF @ 50 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 214W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,3mOhm bei 100A, 10V |
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 6,55000 € | 6,55 € |
| 50 | 3,53980 € | 176,99 € |
| 100 | 3,24980 € | 324,98 € |
| 500 | 2,76532 € | 1.382,66 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 6,55000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 7,79450 € |
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