FDFMA2P857 onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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FDFMA2P857
DigiKey-Teilenr.	FDFMA2P857TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDFMA2P857
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 3 A (Ta) 1,4W (Ta) Oberflächenmontage 6-MicroFET (2x2)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	120mOhm bei 3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	435 pF @ 10 V
FET-Merkmal	Schottky-Diode (isoliert)
Verlustleistung (max.)	1,4W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-MicroFET (2x2)
Gehäuse / Hülle	6-VDFN mit freiliegendem Pad
Basis-Produktnummer	FDFMA2