NTHD3101FT1G onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

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NTHD3101FT1G
DigiKey-Teilenr.	NTHD3101FT1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTHD3101FT1G
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 3,2 A (Tj) 1,1W (Ta) Oberflächenmontage ChipFET™
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTHD3101FT1G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,2 A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	80mOhm bei 3,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	7.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	680 pF @ 10 V
FET-Merkmal	Schottky-Diode (isoliert)
Verlustleistung (max.)	1,1W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	ChipFET™
Gehäuse / Hülle	8-SMD, flache Anschlüsse
Basis-Produktnummer	NTHD3101

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)