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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
FCPF9N60NT | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FCPF9N60NT-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FCPF9N60NT |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 9A TO220F |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 9 A (Tc) 29,8W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | FCPF9N60NT Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 29 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1240 pF @ 100 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 29,8W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220F-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 385mOhm bei 4,5A, 10V |
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Ersatzartikel (14)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| NTPF360N65S3H | onsemi | 910 | 488-NTPF360N65S3H-ND | 3,69000 € | Vom Hersteller empfohlen |
| TK10A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 112 | TK10A60WS4VX-ND | 3,43000 € | Direkter Ersatz |
| IPA60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | 400 | IPA60R360P7XKSA1-ND | 1,90000 € | Ähnlich |
| IPA60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | 273 | IPA60R380P6XKSA1-ND | 1,93000 € | Ähnlich |
| R6011ENX | Rohm Semiconductor | 343 | R6011ENX-ND | 3,66000 € | Ähnlich |
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