FCPF16N60NT ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Vom Hersteller empfohlen


onsemi
Vorrätig: 995
Stückpreis : 4,82000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


Infineon Technologies
Vorrätig: 488
Stückpreis : 3,51000 €
Datenblatt

Ähnlich


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 949
Stückpreis : 3,64000 €
Datenblatt

Ähnlich


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Vorrätig: 1.000
Stückpreis : 4,27000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 695
Stückpreis : 3,55000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 388
Stückpreis : 2,91000 €
Datenblatt

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 9.206
Stückpreis : 2,99000 €
Datenblatt

Ähnlich


IXYS
Vorrätig: 282
Stückpreis : 5,10000 €
Datenblatt

Ähnlich


IXYS
Vorrätig: 291
Stückpreis : 4,95000 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 456
Stückpreis : 3,85000 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 247
Stückpreis : 3,32000 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 291
Stückpreis : 3,07000 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : 4,18000 €
Datenblatt

Ähnlich


Vishay Siliconix
Vorrätig: 1.487
Stückpreis : 4,28000 €
Datenblatt
TO-220F-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FCPF16N60NT

DigiKey-Teilenr.
FCPF16N60NTFS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCPF16N60NT
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 16 A (Tc) 35,7W (Tc) Durchkontaktierung TO-220F-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FCPF16N60NT Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
199mOhm bei 8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
52.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2170 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
35,7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220F-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.