N-Kanal 800 V 8 A (Tc) 136W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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FCP850N80Z

DigiKey-Teilenr.
FCP850N80Z-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCP850N80Z
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 8 A (Tc) 136W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FCP850N80Z Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 600µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
29 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1315 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
850mOhm bei 3A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IXTP4N65X2IXYS73238-IXTP4N65X2-ND3,59000 ۀhnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
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