N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 80W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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IXTP4N65X2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTP4N65X2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP4N65X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
41 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 80W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8.3 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
455 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
80W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
850mOhm bei 2A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 73
Bestand des Herstellers: 2.650
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,59000 €3,59 €
501,82200 €91,10 €
1001,65140 €165,14 €
5001,35252 €676,26 €
1.0001,25651 €1.256,51 €
2.0001,17583 €2.351,66 €
5.0001,12782 €5.639,10 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:4,27210 €