Name: GAN3R2-100CBEAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND
Price: 5.7358 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GAN3R2-100CBEAZ
DigiKey-Teilenr.	1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-GAN3R2-100CBEAZCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-GAN3R2-100CBEAZDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	GAN3R2-100CBEAZ
Beschreibung	100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 60A 394W Oberflächenmontage 8-WLCSP (3,5x2,13)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	GAN3R2-100CBEAZ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60A
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,2mOhm bei 25A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 9mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1000 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	394W
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-WLCSP (3,5x2,13)
Gehäuse / Hülle	8-XFBGA, WLCSP
Basis-Produktnummer	GAN3R2