Name: IGC019S06S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC019S06S1XTMA1TR-ND
Price: 4.4149 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IGC019S06S1XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGC019S06S1XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGC019S06S1XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGC019S06S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGC019S06S1XTMA1
Beschreibung	MV GAN DISCRETES
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 27A (Ta), 99A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-6-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGC019S06S1XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	27A (Ta), 99A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,9mOhm bei 35A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,9V bei 12mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	13 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±6,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1450 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSON-6-2
Gehäuse / Hülle	6-PowerTDFN