Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 2.3086 EUR
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IGB110S10S1XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IGB110S10S1XTMA1
Beschreibung	MV GAN DISCRETES
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 9 A (Ta), 23 A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-4-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IGB110S10S1XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Ta), 23 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11mOhm bei 10A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,9V bei 3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	3.4 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±6,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	340 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 15W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSON-4-2
Gehäuse / Hülle	4-PowerTDFN