TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead

2N7000-G

Digi-Key-Teilenr.
2N7000-G-ND
2N7000-G
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
22 Wochen
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3
Kundenreferenz
Datenblatt  Datenblatt
Beschreibung
Kategorie
Herst.
Serie
-
Gehäuse
Tasche
Product Status
Aktiv
FET-Typ
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 1mA
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
60 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusRoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL)1 (Unbegrenzt)
REACH-StatusVon REACH nicht betroffen
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Alle Preise in EUR
Tasche
Stückpreis
10,53000 €0,53 €
250,44640 €11,16 €
1000,39050 €39,05 €