Name: 2N7000-G
Brand: Microchip Technology
SKU: 2N7000-G-ND
Price: 0.5117 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

2N7000-G
DigiKey-Teilenr.	2N7000-G-ND
Hersteller	Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer	2N7000-G
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers	7 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	2N7000-G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Microchip Technology
Serie	-
Verpackung	Tasche
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200mA (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 1mA
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	60 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-92-3
Gehäuse / Hülle	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Basis-Produktnummer	2N7000