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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
2N7000-G | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 2N7000-G-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | 2N7000-G |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 7 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 60 V 200mA (Tj) 1W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | 2N7000-G Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Tasche | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 4,5V, 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 5Ohm bei 500mA, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3V bei 1mA | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 60 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 1W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-92-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 4.167
Sofort versandbereit
Menge
Alle Preise in EUR
Tasche
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 0,44000 € | 0,44 € |
| 25 | 0,36920 € | 9,23 € |
| 100 | 0,32530 € | 32,53 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 0,44000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 0,52360 € |
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