IXTY01N80 IXYS | Einzelne FETs, MOSFETs

IXTY01N80 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

onsemi

Vorrätig: 21.400

Stückpreis : 1,08000 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTY01N80
DigiKey-Teilenr.	IXTY01N80-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTY01N80
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 100MA TO252AA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 25µA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Obsolet	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 60 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 25W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 100mA (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 50Ohm bei 100mA, 10V	Basis-Produktnummer IXTY01

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Ersatzartikel (1)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
RFD3055LESM9A	onsemi	21.400	RFD3055LESM9ACT-ND	1,08000 €	Ähnlich

Obsolet

Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.

Nicht stornierbar / keine Rückgabe

IXTY01N80