Name: RFD3055LESM9A
Brand: onsemi
SKU: RFD3055LESM9ATR-ND
Price: 0.5474 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RFD3055LESM9A
DigiKey-Teilenr.	RFD3055LESM9ATR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RFD3055LESM9ACT-ND - Gurtabschnitt (CT) RFD3055LESM9ADKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	RFD3055LESM9A
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 11 A (Tc) 38W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	107mOhm bei 8A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	350 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	38W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	RFD3055