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N-Kanal 200 V 50 A (Tc) 360W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP50N20P

DigiKey-Teilenr.
IXTP50N20P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP50N20P
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 50A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 50 A (Tc) 360W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2720 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
60mOhm bei 50A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (5)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FDP39N20onsemi0FDP39N20-ND0,00000 ۀhnlich
FDP52N20onsemi2.339FDP52N20-ND3,06000 ۀhnlich
IRFB38N20DPBFInfineon Technologies680IRFB38N20DPBF-ND3,17000 ۀhnlich
STP30NF20STMicroelectronics1.220497-5825-5-ND2,41000 ۀhnlich
STW75NF20STMicroelectronics4.053497-5959-5-ND4,22000 ۀhnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
15,44000 €5,44 €
502,87080 €143,54 €
1002,62300 €262,30 €
5002,18916 €1.094,58 €
1.0002,04990 €2.049,90 €
2.0001,97729 €3.954,58 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:6,47360 €