IXTP20N65XM IXYS | Einzelne FETs, MOSFETs

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IXTP20N65XM
DigiKey-Teilenr.	IXTP20N65XM-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTP20N65XM
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 9 A (Tc) 63W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5,5V bei 250µA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V
Serie Ultra X	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1390 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 63W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IXTP20
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 210mOhm bei 10A, 10V

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Ersatzartikel (3)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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