N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 36W (Tc) Durchkontaktierung TO-220, isolierte Fahne
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IXTP20N65X2M

DigiKey-Teilenr.
238-IXTP20N65X2M-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP20N65X2M
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 36W (Tc) Durchkontaktierung TO-220, isolierte Fahne
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
27 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1450 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
36W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220, isolierte Fahne
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
185mOhm bei 10A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Bestellung verfügbar
Bestand des Herstellers: 950
Informationen zur Lieferzeit

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