N-Kanal 650 V 80 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
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IXTH80N65X2

DigiKey-Teilenr.
IXTH80N65X2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTH80N65X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 80 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 4mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
144 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7753 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
890W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
40mOhm bei 40A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
113,96000 €13,96 €
308,56833 €257,05 €
1207,38808 €886,57 €
5106,83329 €3.484,98 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:13,96000 €
Stückpreis mit MwSt.:16,61240 €
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