N-Kanal 650 V 80 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFH80N65X2

DigiKey-Teilenr.
238-IXFH80N65X2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFH80N65X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 80 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
Leere Attribute anzeigen
Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 4mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
143 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8245 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
890W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
40mOhm bei 40A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 1.650
Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
115,89000 €15,89 €
309,86667 €296,00 €
1208,54833 €1.025,80 €
5108,07661 €4.119,07 €
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:15,89000 €
Stückpreis mit MwSt.:18,90910 €
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein
1 Artikel