Name: IXFH80N65X2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXFH80N65X2-ND
Price: 16.0055 EUR
Availability: InStock

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IXFH80N65X2
DigiKey-Teilenr.	238-IXFH80N65X2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFH80N65X2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	34 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 80 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	40mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,5V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	143 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8245 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	890W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247 (IXTH)
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IXFH80

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30	8,27100 €	248,13 €
120	7,13725 €	856,47 €
510	7,08843 €	3.615,10 €

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