Name: IXSJ80N120R1
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ80N120R1-ND
Price: 30.1308 EUR
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

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IXSJ80N120R1
DigiKey-Teilenr.	238-IXSJ80N120R1-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXSJ80N120R1
Beschreibung	1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 85 A (Tc) 266W Durchkontaktierung ISO247-3L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	85 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	22,5mOhm bei 40A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,8V bei 22,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	154 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+21V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4522 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	266W
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	ISO247-3L
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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30	16,45567 €	493,67 €
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