Name: IXFH20N100P
Brand: IXYS
SKU: IXFH20N100P-ND
Price: 15.0059 EUR
Availability: InStock

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IXFH20N100P
DigiKey-Teilenr.	IXFH20N100P-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFH20N100P
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1000 V 20 A (Tc) 660W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD (IXFH)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	570mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	6,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	126 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7300 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	660W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AD (IXFH)
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IXFH20

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30	7,70800 €	231,24 €
120	6,63400 €	796,08 €
510	6,51025 €	3.320,23 €

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