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IXFH18N60X | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXFH18N60X-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXFH18N60X |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 18A TO247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 320W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH) |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 1,5mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1440 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 320W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 (IXTH) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 230mOhm bei 9A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH18N65X2 | IXYS | 0 | 238-IXFH18N65X2-ND | 3,94420 € | Vom Hersteller empfohlen |
| IRFP22N60KPBF | Vishay Siliconix | 2 | IRFP22N60KPBF-ND | 7,73000 € | Ähnlich |
| SIHG15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG15N60E-GE3-ND | 3,91000 € | Ähnlich |
| SIHG17N80E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG17N80E-GE3-ND | 5,62000 € | Ähnlich |
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | 2.117 | SPW17N80C3FKSA1-ND | 5,16000 € | Ähnlich |








