Name: ISC028N03LF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC028N03LF2SATMA1TR-ND
Price: 0.6783 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISC028N03LF2SATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC028N03LF2SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC028N03LF2SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC028N03LF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC028N03LF2SATMA1
Beschreibung	ISC028N03LF2SATMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 24A (Ta), 128A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-62
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISC028N03LF2SATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™ 2
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	24A (Ta), 128A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,8mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,35V bei 30µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1780 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-62
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN

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