Name: ISC033N03LF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC033N03LF2SATMA1TR-ND
Price: 0.5712 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISC033N03LF2SATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC033N03LF2SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC033N03LF2SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC033N03LF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC033N03LF2SATMA1
Beschreibung	ISC033N03LF2SATMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 22 A (Ta), 108 A (Tc) 3W (Ta), 71W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-62
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISC033N03LF2SATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™ 2
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	22 A (Ta), 108 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,3mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,35V bei 30µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1400 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 71W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-62
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN

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