Name: ISC018N08NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC018N08NM6ATMA1TR-ND
Price: 5.3431 EUR
Availability: InStock

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ISC018N08NM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC018N08NM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC018N08NM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC018N08NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC018N08NM6ATMA1
Beschreibung	TRENCH 40<-<100V
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 27A (Ta), 230A (Tc) 3W (Ta), 217W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8 FL
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,8mOhm bei 50A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 114µA
Serie OptiMOS™ 6	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 76 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5400 pF @ 40 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 217W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 27A (Ta), 230A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8 FL
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN