Name: ISC019N08NM7ATMA1
Brand: Infineon Technologies Americas Corp.
SKU: 448-ISC019N08NM7ATMA1TR-ND
Price: 4.0103 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

N-Kanal 80 V 26A (Ta), 209A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-43

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISC019N08NM7ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC019N08NM7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC019N08NM7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC019N08NM7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies Americas Corp.
Hersteller-Teilenummer	ISC019N08NM7ATMA1
Beschreibung	ISC019N08NM7ATMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 26A (Ta), 209A (Tc) 3W (Ta), 188W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-43
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,9mOhm bei 50A, 10V
Herst. Infineon Technologies Americas Corp.	Vgs(th) (max.) bei Id 3,2V bei 87µA
Serie OptiMOS™ 7	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 78 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5633 pF @ 40 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 188W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 26A (Ta), 209A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-43
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN