Name: IRF3808PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF3808PBF-ND
Price: 3.4272 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF3808PBF
DigiKey-Teilenr.	IRF3808PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF3808PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 75 V 140 A (Tc) 330W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF3808PBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	75 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	140 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7mOhm bei 82A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	220 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5310 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	330W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRF3808

Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 4

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Verfügbar bis: 31.03.2026

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	2,88000 €	2,88 €
50	1,44380 €	72,19 €
100	1,30510 €	130,51 €
500	1,06218 €	531,09 €
1.000	0,98413 €	984,13 €
2.000	0,94932 €	1.898,64 €

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.