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N-Kanal 60 V 84 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF1010EPBF

DigiKey-Teilenr.
IRF1010EPBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF1010EPBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 84 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRF1010EPBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3210 pF @ 25 V
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
12mOhm bei 50A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IRF1010EZPBFInfineon Technologies1.209IRF1010EZPBF-ND2,28000 €Direkter Ersatz
IRF1018EPBFInfineon Technologies5.373IRF1018EPBF-ND1,61000 ۀhnlich
PSMN7R6-60PS,127Nexperia USA Inc.1691727-4281-ND2,76000 ۀhnlich
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STP60NF06LSTMicroelectronics1.270497-5895-5-ND2,80000 ۀhnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
12,24000 €2,24 €
501,08680 €54,34 €
1000,97370 €97,37 €
5000,77530 €387,65 €
1.0000,71148 €711,48 €
2.0000,65780 €1.315,60 €
5.0000,59975 €2.998,75 €
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