Name: IRF100B201
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF100B201-ND
Price: 3.6652 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 100 V 192 A (Tc) 441W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF100B201
DigiKey-Teilenr.	IRF100B201-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF100B201
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 192 A (Tc) 441W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF100B201 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 255 nC @ 10 V
Serie HEXFET®, StrongIRFET™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9500 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 441W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 155°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 192 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRF100
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,2mOhm bei 115A, 10V

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	3,08000 €	3,08 €
50	1,52320 €	76,16 €
100	1,37260 €	137,26 €
500	1,10844 €	554,22 €
1.000	1,02355 €	1.023,55 €
2.000	0,95219 €	1.904,38 €
5.000	0,87502 €	4.375,10 €
10.000	0,82738 €	8.273,80 €

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