Name: IPW65R099C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW65R099C6FKSA1-ND
Price: 7.4613 EUR
Availability: OutOfStock

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IPW65R099C6FKSA1
DigiKey-Teilenr.	IPW65R099C6FKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPW65R099C6FKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 38 A (Tc) 278W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPW65R099C6FKSA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	38 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	99mOhm bei 12,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 1,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	127 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2780 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	278W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-3-1
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IPW65R099

Stückpreis ohne MwSt.:	6,27000 €
Stückpreis mit MwSt.:	7,46130 €