IPP65R190C7FKSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP65R190C7FKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPP65R190C7FKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP65R190C7FKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 13 A (Tc) 72W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP65R190C7FKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C7
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	190mOhm bei 5,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 290µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1150 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	72W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IPP65R190

Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 1

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt und ist daher nach Abverkauf der Lagerbestände nicht mehr lieferbar. Ersatzartikel anzeigen.

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	2,85000 €	2,85 €

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.