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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPP65R225C7XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPP65R225C7XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP65R225C7XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 17 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 63W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP65R225C7XKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 225mOhm bei 4,8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 240µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 20 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 996 pF @ 400 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 63W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO220-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 76
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,06000 € | 2,06 € |
| 50 | 1,06740 € | 53,37 € |
| 100 | 1,04990 € | 104,99 € |
| 500 | 0,90392 € | 451,96 € |
| 1.000 | 0,83527 € | 835,27 € |
| 2.000 | 0,78478 € | 1.569,56 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,06000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,45140 € |
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