Einstellungen
Schnelle Lieferung
Kostenlose Lieferung
Incoterms
Zahlungsmethoden
Marketplace-Produkt
IPP65R150CFDXKSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Parametrisches Äquivalent
Parametrisches Äquivalent
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPP65R150CFDXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPP65R150CFDXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP65R150CFDXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 150mOhm bei 9,3A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,5V bei 900µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 86 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2340 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 195,3W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PG-TO220-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Obsolet
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein
1 Artikel
Deutschland