Name: IPP60R160P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP60R160P7XKSA1-ND
Price: 3.3558 EUR
Availability: OutOfStock

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IPP60R160P7XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPP60R160P7XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP60R160P7XKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 81W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP60R160P7XKSA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	160mOhm bei 6,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 350µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1317 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	81W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3-1
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IPP60R160

Stückpreis ohne MwSt.:	2,82000 €
Stückpreis mit MwSt.:	3,35580 €