Name: IPDQ65R008CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R008CM8XTMA1TR-ND
Price: 23.7167 EUR
Availability: InStock

Neu bei DigiKey

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPDQ65R008CM8XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPDQ65R008CM8XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPDQ65R008CM8XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPDQ65R008CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPDQ65R008CM8XTMA1
Beschreibung	IPDQ65R008CM8XTMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 270 A (Tc) 1,249kW (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPDQ65R008CM8XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	270 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8mOhm bei 125A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,7V bei 3,24mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	375 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	18004 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,249kW (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-HDSOP-22
Gehäuse / Hülle	22-poliges PowerBSOP-Modul